切割: 从晶圆代工厂（Foundry）生产完成的晶圆（Wafer）经过测试后进入生产线类似传统封装，扇出型封装第一步也需要将来料晶圆切割成为裸晶。扇出型封装的主要特点是将切割后的裸晶组合成为重构晶圆，与来料晶圆相比，重构晶圆上裸晶之间的距离相对更大，因此方便构造单位面积更大，输入输出（I/O）更多的芯片成品。 塑封、去除载片: 完成重构晶圆的贴片后，对重构晶圆进行塑封以固定和保护裸晶。然后将重构晶圆载片移除，从而将裸晶对外的输入输出接口（I/O）露出。 制作再布线层: 为了将裸晶上的接口（I/O）引出至方便焊接的位置，在晶圆上通过金属布线工艺制作再布线层（RDL）。 晶圆减薄: 为使芯片成品更轻薄，对晶圆进行减薄加工。 植球: 在再布线层（RDL）所连接的金属焊盘上进行植球，方便后续芯片在印刷电路板（PCB）上的焊接。 晶圆切割、芯片成品: 最后将重构晶圆进行切割，以得到独立的芯片。